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【场效应管晶体管】瑞森半导体-品质供应商

作者:未知 发布日期:2019-08-22

【场效应管晶体管】瑞森半导体-品质供应商
 
场效应管,选择瑞森半导体,产品包括各类N沟道mosfet,汽车mosfet等,先进的MOSFET解决方案提供您在当今市场所需的灵活性。
场效应管:
  “场效应”的含义是这种晶体管的工作原理是基于半导体的电场效应的。场效应晶体管(field effect transistor)利用场效应原理工作的晶体管,英文简称FET。场效应晶体管又包含两种主要类型:结型场效应管(Junction FET,缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide Semiconductor FET,缩写为MOS-FET)。与BJT不同的是,FET只由一种载流子(多数载流子)参与导电,因此也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应管晶体管
静电感应:
  静电感应晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年,实际上是一种结型场效应晶体管。将用于信息处理的小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构,即可制成大功率的SIT器件。SIT是一种多子导电的器MOSFET相当,甚至超过电力MOSFET,而功率容量也比电力MOSFET大,因而适用于高频大功率场合,目前已在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等某些专业领域获得了较多的应用。
单电子晶体管:
  用一个或者少量电子就能记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀技术和工艺的发展,大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存储器(DRAM)为例,它的集成度差不多以每两年增加四倍的速度发展,预计单电子晶体管将是最终的目标。目前一般的存储器每个存储元包含了20万个电子,而单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少量电子,因此它将大大降低功耗,提高集成电路的集成度。1989年斯各特(J.H. F.Scott-Thomas)等人在实验上发现了库仑阻塞现象。